بررسی خاصیت آبگریزی لایه نازک دی اکسیدزیرکونیوم بر روی بستر سیلیکون

در این مقاله میزان آبگریزی سطح سلیکون پوشش داده شده با دی اکسید زیرکونیوم(( 2 با روش اسپین کوت مورد بررسی قرار گرفته است، محلول آماده شده برای این منظور با روش اسپین کوت1 بر روی بستر سیلیکون تک کریستال در 8 مرحله به صورت لایه نازک نشانده شده و تحت پخت با دماهای 450، 600، 750 و 900 درجه سانتیگراد قرار گرفت.ساختار با استفاده از پراش پرتو (XRD) X مورد بررسی قرار گرفت که در هر دو روش ساختار دی‎اکسید زیرکونیوم شکل گرفته بود.مورفولوژی و سایز دانه های تشکیل شده روی سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت و زیری سطح نمونه ها با استفاده از نرم افزار Imager مشخص شد. زاویه تماس نمونه از طریق عکس برداری با میکروسکوپ دیجیتال مدل AM-7013MZT مورد بررسی قرار گرفت. بیشترین زاویه برای لایه تهیه شده به روش لایه نشانی چرخشی 92/6 درجه بدست آمد. طبق نتایج بدست آمده در این پژوهش بهترین دمای بازپخت برای دستیابی به خاصیت آبگریزی برای لایه نازک دی‎اکسید زیرکونیوم دمای 450درجه سانتیگراد بود.

Keywords:

آبگریزی , دی اکسید زیرکونیوم zrO2 , اسپین کوت , لایه نازک , زاویه تماس