اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 4، Issue: 2
Publish Year: 1382
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 348
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PSI-4-2_002
Index date: 20 January 2019
اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم abstract
مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر (مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه در مورد بر (B) شروع کرده ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر، از نظر مطالعه، طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله، گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی، زمان پرواز یون ثانویه ( TOF - SIMS ) و تجزیه فرایند هسته ای 31P ( a , p ) 34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است، امکان محاسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که در آن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها، فسفر به مقدار 181014cm تا 2 cm 371019 ب ا انرژی keV 8 و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار (فرمول درمتن مقاله) با انرژی keV 1 تاkeV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد.
اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم Keywords:
اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم authors
محمد بلوریزاده
بخش فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان، ایران
ایان میچل
بخش فیزیک و نجوم، دانشگاه انتاریوی غربی، انتاریو، کانادا