اندازه گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 4، Issue: 2
Publish Year: 1382
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 284
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-4-2_002
تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397
Abstract:
مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر (مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه در مورد بر (B) شروع کرده ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر، از نظر مطالعه، طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله، گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی، زمان پرواز یون ثانویه ( TOF - SIMS ) و تجزیه فرایند هسته ای 31P ( a , p ) 34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است، امکان محاسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که در آن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها، فسفر به مقدار 181014cm تا 2 cm 371019 ب ا انرژی keV 8 و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار (فرمول درمتن مقاله) با انرژی keV 1 تاkeV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد.
Keywords:
Authors
محمد بلوریزاده
بخش فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان، ایران
ایان میچل
بخش فیزیک و نجوم، دانشگاه انتاریوی غربی، انتاریو، کانادا