ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 17، Issue: 4
Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 476
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PSI-17-4_008
Index date: 20 January 2019
ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی abstract
در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفرهای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 15%، 02% و 71% و مربوط به شعاعهای a34/0 و a05/0 و a84/0 میباشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه m 1تا m 01 محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان میدهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، میتوان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستمهای ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.
ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی Keywords:
ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی authors
میثم دانشور
پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان
علی رستم نژادی
پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان