ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفرهای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 15%، 02% و 71% و مربوط به شعاعهای a34/0 و a05/0 و a84/0 میباشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه  m 1تا  m 01 محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان میدهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، میتوان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستمهای ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.

Keywords:

بلور فوتونیکی سیلیکونی , ساختار نواری , گاف نواری , خواص اپتیکی , تابش گرمایی