طراحی یک تقویت کننده ولتاژ پایین با افزایش هدایت انتقالی طبقه ورودی و روش گیت شبه شناور
Publish place: 3rd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 331
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_202
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده توان پایین فولدد کسکود راه اندازی ورودی بدنه طراحی و شبیه سازی شده است. به عبارتی،جهت افزایش سویینگ ولتاژ ورودی در تغذیه های پایین، از تکنیک بالک درایو در ورودی استفاده میشود تا تغییرات ولتاژ مد مشترک ورودیمنجر به کاهش خطینگی مدار نشود. با این حال، هدایت انتقالی ناشی از بدنه (بالک) به مراتب کمتر از هدایت انتقالی ناشی از ترمینال گیت است که برای جبران این کاهش هدایت انتقالی از تکنیک های افزایشی استفاده می شود. نتیجتا تقویت کننده مذکور در تکنولوژی 180nm-CMOS شبیه سازی شده که نتایج نشان میدهد در ولتاژ تغذیه 0.5V و توان مصرفی 25nW بهره فرکانس پایین و فرکانس بهره واحد تقویت کننده به ترتیب برابراند با 54dB و 16.8KHz.
Keywords:
Authors
علیرضا حسن زاده
استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه شهید بهشتی
رویا انوری
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی تهران مرکز