تحلیل و شبیه سازی سنسور گرافنی همراه با نقص تهی جا جهت سنجش گاز متان
Publish place: 3rd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 346
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_327
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
Abstract:
در این مقاله، به بررسی و شبیه سازی سنسور الکترونیکی مبتنی بر گرافن در دو حالت پرداخته می شود. درحالت اول گرافن به صورت ذاتی به جهت شبیه سازی سنسور استفاده می شود و پس از آن نقص سراختاری تهی جا درگرافن ایجاد شده و نتایج مربوط به خواص الکترونیکی و فیزیکی آن بررسی و با هم مقایسه می شود. این مطالعات بااستفاده از دو روش نظریه تابع چگالی و تابع گرین غیر تعادلی انجام می شود در ابتدا ساختار گرافنی در محیط شبیهسازی طراحی و محاسبات مربوط به ساختار نواری، چگالی حالات، ترابرد الکترونیکی و جریان- ولتاژ انجام شده است. نتایجبه دست آمده از شبیه سازی ها نشان می دهند که نانو نوارهای گرافنی ذاتی در سنجش مولکول گاز ضعیف عمل میکنند. در حالیکه گرافن غیر ذاتی با نقص تهی جا تکی حساسیت بالاتری نسبت به جذب مولکول گاز دارند.
Keywords:
Authors
فایزه یوسف نسل
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق،پزشکی ومکاترونیک،واحدقزوین،دانشگاه آزاد اسلامی،قزوین،ایران
ستار میرزاکوچکی
دانشیار دانشکده مهندسی برق ،دانشگاه علم و صنعت ،تهران،ایران