تحلیل و شبیه سازی سنسور گرافنی همراه با نقص تهی جا جهت سنجش گاز متان

در این مقاله، به بررسی و شبیه سازی سنسور الکترونیکی مبتنی بر گرافن در دو حالت پرداخته می شود. درحالت اول گرافن به صورت ذاتی به جهت شبیه سازی سنسور استفاده می شود و پس از آن نقص سراختاری تهی جا درگرافن ایجاد شده و نتایج مربوط به خواص الکترونیکی و فیزیکی آن بررسی و با هم مقایسه می شود. این مطالعات بااستفاده از دو روش نظریه تابع چگالی و تابع گرین غیر تعادلی انجام می شود در ابتدا ساختار گرافنی در محیط شبیهسازی طراحی و محاسبات مربوط به ساختار نواری، چگالی حالات، ترابرد الکترونیکی و جریان- ولتاژ انجام شده است. نتایجبه دست آمده از شبیه سازی ها نشان می دهند که نانو نوارهای گرافنی ذاتی در سنجش مولکول گاز ضعیف عمل میکنند. در حالیکه گرافن غیر ذاتی با نقص تهی جا تکی حساسیت بالاتری نسبت به جذب مولکول گاز دارند.

Keywords:

گرافن , نانو نوا , حسگر گاز , نقص تهی جا , VNL-ATK