اثر ولتاژ الکتروانباشت نامتقارن با لایه سدی ضخیم برساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم های کبالت

آرایه ای از نانوسیم های کبالت به روش الکتروانباشت ac نامتقارن درون قالب آلومینای آندی با لایه سدی ضخیم رشد داده شد. ولتاژهای احیا واکسیداسیون مختلفی با مقادیر :(28-28)، (26-28)، (22-26) ،(24 - 26) ،(26 -26) ،(22-28) ،(24-28)، ( 24 -24) و (24-22).اعمال گردید . بررسی ها نشان داد تغییر در ولتاژ اکسایش نسبت به ولتاژ احیا سبب تغییر در ساختار بلوری ، انداره دانه ای ، خواص مغناطیسی و آهنگ رشد می گردد به طوری که بیشینه و کمینه نیروی وادارندگی (1776 و 697/5 اورسند) به ترتیب به ازای ولتاژهای احیا واکسیداسیون (28-24)و(26-24) حاصل شد ،هم چنین مشاهده شد همراه با افزایش نیروی وادارندگی، آهنگ رشد کاهش می یابد.