رسانش الکتریکی سیم های کوانتومی: رهیافت تابع گرین غیرتعادلی
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,478
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_342
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
خواص ترابرد الکتریکی سیم های کوانتومی متصل شده به دو الکترود نیم بی نهایت ایده ال با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون- الکترون و همچنین ولتاژ خارجی بررسی میشود. با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی، عبور دهی الکترونی در نانوساختار مورد نظر از فرمول بندی کلدیش مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی محاسبه می شود. برای مشخص کردن مشخصه جریان- ولتاژ سیستم در رژیم بالستیک از فرمول لاندائو- بوتیکر بدست می آید. نتایج عددی نشان میدهد که منحنی جریان ولتاژ رفتار پلکانی دارد و همچنین دیده میشود که در یک ولتاژ خاص، در بایاس های مستقیم با افزایش برهم کنش کولنی جریان بیشتر و در بایاس های معکوس این رفتار برعکس میشود. علاوه بر این، با افزایش پارامتر جهش بین سیم- الکترود، رفتار پسزنی کولمبی ضعیف تر میشود. نتایج بدست آمده میتواند برای طراحی نسل جدید ادوات الکترونیکی مفید باشد.
Authors
علی اصغر شکری
گروه فیزیک دانشگاه پیام نور (مرکز تهران) - آزمایشگاه تحقیقاتی علوم محا
فرشته یاوری
گروه فیزیک دانشگاه پیام نور (مرکز تهران)