یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین

در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود 1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد

یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین Keywords:

بهره , تفاضلی , دو طبقه , CMOS , 0.18µm

یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین authors

پیمان کرمی

کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران،

توحید زرگر ارشادی

دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

McGraw Hil. New York, pp. 137- .dع 3- D. A. ...

D. Jolns and K. Martin, Analog integrated circuit design. John ...

B. Razavi , Design of analog CMOS integrated circuits. McGraw ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/84342

Document National Code:

CHKI01_024

Index date: 29 December 2009

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

کرمی، پیمان و زرگر ارشادی، توحید،1389،یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین،The first national conference on new technologies in engineering sciences،Mashhad،https://civilica.com/doc/84342

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1389، کرمی، پیمان؛ توحید زرگر ارشادی)
برای بار دوم به بعد: (1389، کرمی؛ زرگر ارشادی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Related papers

مقاله فارسی "یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین" توسط پیمان کرمی، کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران، ؛ توحید زرگر ارشادی، دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات نوشته شده و در سال 1389 پس از تایید کمیته علمی اولین همایش ملی فناوریهای نوین در علوم مهندسی پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله بهره ، تفاضلی ، دو طبقه ، CMOS ، 0.18µm هستند. این مقاله در تاریخ 8 دی 1388 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2230 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود 1Vp-p داشته و ابعاد آن در ... . برای دانلود فایل کامل مقاله یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین با 9 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.