ارایه طرح جدیدی از یک ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 507
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CPESCONF01_003
Index date: 21 May 2019
ارایه طرح جدیدی از یک ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا abstract
در این مقاله ساختار جدیدی از تزانزیستور AlGaN/GaN HEMT1 ارایه گردیده است. ساختار پیشنهادی بر روی ویفر ساختار ترانزیستور HEMT معمولی پیاده سازی شده است. در این ساختار از ایجاد لایه جدید Si3N4 بر روی ساختار اولیه به منظور بهبود پاسخ فرکانسی و از لایه اکسید ناخالصی به منظور بهبود بهره جریان استفاده شده است. ساختار پیشنهادی دارای میزان بهره جریان140 dB 2 در فرکانس قطع80 GHz 3 است که نسب به ساختار اولیه و همچنین دیگر ساختارهای ارایه شده در این زمینه بسیار بهبود یافته است. برای مقایسه بهتر دو مدل از ترانزیستور HEMT بوسیله نرم افزار Silvaco TCAD شبیه سازی و ارایه شده است که یک مدل شامل ترانزیستور HEMT معمولی و دیگری شامل ترانزیستور HEMT بهبود یافته با اضافه کردن لایه ناخالصی در آن است. نتایج ارایه شده از شبیه سازی این ساختار، استفاده از آن در مدارات با فرکانس های بالا را توجیح پذیر مینمایاند.
ارایه طرح جدیدی از یک ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا Keywords:
ارایه طرح جدیدی از یک ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT جهت استفاده در مدارات فرکانس بالا authors