بررسی خواص ساختاری و نوری لایه های نازک ITO تهیه شده بروش کندوپاش
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,195
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_286
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در کار حاضر لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع بر روی زیر لایه های مولتی کریستالهای سیلیکون به روش کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی ( In2O3-SnO2 ،90-10wt.%) ITO لایه نشانی شده است. عملیات بازپخت تا دمای 500 درجه سانتیگراد در محیط خلاء صورت گرفته است. خواص ساختاری, نوری و الکتریکی نمونه ها توسط انالیزهای UV/VIS ، XRD و روش مقاومت چهار ترمینالی مورد بررسی قرار گرفت. ملاحظه شد که در دمای 500درجه سانتیگراد می توان به بیشترین درصد عبور و کمترین مقاومت سطحی رسید. با تحلیل ساختار بلوری لایه ها می توان گفت که لایه های با بافت <111> نسبت به لایه های با بافت < 100 > دارای عبور نوری و رسانندگی الکتریکی و نیز تحرک بهتری هستند.
Authors
مریم ابراهیمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین (پیشوا)
سیدعلی صالحی زاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین (پیشوا)
ابراهیم سلیمانی اصل
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :