سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

اثر دز کاشت هیدروژن بر روی خواص ساختاری و نیز الکتریکی تک کریستالهای سیلیکونی

Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,140

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

IPC88_396

Index date: 18 January 2010

اثر دز کاشت هیدروژن بر روی خواص ساختاری و نیز الکتریکی تک کریستالهای سیلیکونی abstract

در این تحقیق ، اثرکاشت یون هیدروژن با انرژی 70keV بر خواص میکرو-نانوساختاری(400) p-Si بررسی شده است. برای این امر آنالیزهای پراش اشعه X (XRD)، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) به منظور مطالعه بر روی ساختارنمونه های آسیب دیده در اثر کاشت انجام شدند. مقاومت الکتریکی صفحه ای نمونه های کاشته شده نیز توسط دستگاه چهار پروبی نقطه ای، اندازه گیری و مورد مطالعه قرار گرفتند. برطبق نتایج XRD، پهنای نصف ارتفاع پیک(400) Si با دزهای مختلف،تغییر کرد، که این تغییرات به تنش و کرنش ایجاد شده بدلیل کاشت، مربوط بود. نتایج AFM تشکیل تاول ها و ترک های حاصل از شکافت آنهارا بواسطه تغییرات دز کاشت نمایش داد. همچنین رابطه تنگی را بین زبری حاصل از کاشت و دز بکار رفته نشان داد. نتایج آزمایش چهار پروبی نیزمؤید همان نتایج آنالیز AFM بوده است.

اثر دز کاشت هیدروژن بر روی خواص ساختاری و نیز الکتریکی تک کریستالهای سیلیکونی authors

مجید مجتهدزاده لاریجانی

مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی، سازمان انرژی اتمی، کرج

زهرا پیراسته

مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی، سازمان انرژی اتمی، کرج; گروه فیزی

محمدرضا خانلری

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
P.Dubcek, B .Pivac;"X-ray reflectivity study of hydrogen implanted silicon" ;Applied ...
R.Singh, Investigation of hydrogen implantation -induce blistering in ...
layer created in silicon by _ He implantation _ Vacuume ...
George E. Dieter, _ Mechanical Metallurgy", McGraw-Hill, 2nd printing, Singapore, ...
L.Meda _ G.F.Cerofolin _ G.Ottaviani :'Evidence for molecular hydrogen in ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "اثر دز کاشت هیدروژن بر روی خواص ساختاری و نیز الکتریکی تک کریستالهای سیلیکونی" توسط مجید مجتهدزاده لاریجانی، مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی، سازمان انرژی اتمی، کرج؛ زهرا پیراسته، مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی، سازمان انرژی اتمی، کرج; گروه فیزی؛ محمدرضا خانلری، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین نوشته شده و در سال 1388 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس فیزیک ایران 1388 پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله هستند. این مقاله در تاریخ 28 دی 1388 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1140 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این تحقیق ، اثرکاشت یون هیدروژن با انرژی 70keV بر خواص میکرو-نانوساختاری(400) p-Si بررسی شده است. برای این امر آنالیزهای پراش اشعه X (XRD)، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) به منظور مطالعه بر روی ساختارنمونه های آسیب دیده در اثر کاشت انجام شدند. مقاومت الکتریکی صفحه ای نمونه های کاشته شده نیز توسط دستگاه چهار پروبی نقطه ای، اندازه گیری ... . برای دانلود فایل کامل مقاله اثر دز کاشت هیدروژن بر روی خواص ساختاری و نیز الکتریکی تک کریستالهای سیلیکونی با 4 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.