اثرآهارانف- بوهم حالت مقید و تاثیر آن روی رسانش الکتریکی در مدل بستگی قوی در نانو ساختارهای حلقوی
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,405
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC88_449
Index date: 18 January 2010
اثرآهارانف- بوهم حالت مقید و تاثیر آن روی رسانش الکتریکی در مدل بستگی قوی در نانو ساختارهای حلقوی abstract
در این مقاله اثر آهارانف – بوم روی رسانش الکتریکی یک دستگاه پریودیک حلقوی در غیاب و در حضور میدان مغناطیسی خارجی در مدل بستگی قوی بررسی شده است. نتایج نشان م یدهد که اولاً مدل پریودیک در نظر گرفته شده در رهیافت بستگی قوی دارای یک گاف انرژی است که این گاف در حضور میدان مغناطیسی بدون تغییر باقی می ماند ولی پیک های اصلی جابجا شده اند و با اعمال میدان تعداد پیکها بسیار زیاد شده است وتقارن منحنی رسانش وچگالی حالتها حول انرژی صفر ( انرژی جایگاهی) از بین رفته است.
اثرآهارانف- بوهم حالت مقید و تاثیر آن روی رسانش الکتریکی در مدل بستگی قوی در نانو ساختارهای حلقوی authors
بابک حاتمی
گروه فیزیک، دانشکد هعلوم پایه، دانشگاه شهرکرد
محمد مردانی
گروه فیزیک،دانشکد هی علوم پایه، دانشگاه شهرکرد