طراحی یک مقایسه کننده کم مصرف بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 408

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC05_009

تاریخ نمایه سازی: 7 خرداد 1398

Abstract:

مدارهای مقایسه کننده را میتوان از مدارهای جدانشدنی از سیستم های الکترونیکی آنالوگ و دیجیتال نام برد. طراحی مقایسه کننده ها بر اساس پارامترهای تاخیر، توان مصرفی، امپدانس ورودی و... صورت می پذیرد. امروزه به دلیل استقبال از مدارات کم توان، پژوهشگران تلاش می کنند تا با ارائه ایده های مناسب این امر را محقق کنند. در این تحقیق تلاش شده است تا با جایگزینی CNTFET با ترانزیستورهای MOSFET و تغییر در بردار کایرال و تعداد نانو لوله های کربنی، مصرف توان و تاخیر دو مدار مقایسه کننده پیشنهادی کاهش یابد. در ادامه برای بهبود عملکرد مقایسه کننده، از تکنیک ترانزیستور اضافی در مدار پیشنهادی اول و از تکنیک بایاس بدنه، در مدار مقایسه کننده پیشنهادی دوم استفاده شده است، تا ضمن کاهش توان مصرفی به میزان % 80 ، عملکرد کلی مدار PDP را نیز 50% بهبود دهد.

Keywords:

توان مصرفی , مدار مقایسه کننده , نانو لوله کربنی PDP , CNTFET

Authors

محمد رضا خضری

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مهدی آمون

استادیار دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران