بررسی و شبیه سازی کلیدزنی بهره در لیزرهای نیمه هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی
Publish place: Fifth International Conference on Quality Research in Electrical and Mechatronics Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 371
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF05_184
تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398
Abstract:
در این مقاله با استفاده از الگوی معادلات نرخ سه سطحی، کلیدزنی بهره نوری در لیزرهای نقطه کوانتومی در سامانه InAs/GaAs مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج پویای کلیدزنی بهره نوری به ازای یک پالس تزریقی جریان با دامنه 10mA در حالت گذرا نشان می دهند، سرعت پاسخ دهی لیزر به شدت متاثر از زمان واهلش الکترون ها از تراز مخزن (Reservoir-state) به تراز برانگیخته (Excited-state) در نقاط کوانتومی می باشد. علاوه بر این نتایج نشان می دهند طول عمر فوتون های داخل کاواک نیز سرعت کلیدزنی بهره نوری را تحت تاثیر قرار می دهند.
Keywords:
Authors
سهیلا فلاح رودباری
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
حسین رضا یوسف وند
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران