بررسی تقویت کننده های مبتنی بر تکنولوژی cmos با توان مصرفی پایین با کاربرد در سنسورهای تصویری
Publish place: Sixth National Congress on Electrical Engineering and Computer Engineering of Iran with a New Approach to New Energy
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 605
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF06_070
تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1398
Abstract:
در این تحقیق هدف بررسی تقویتکننده مبتنی بر تکنولوژی CMOS با توان مصرفی پایین برای کاربرد در سنسورهای تصویری می باشد. بدین منظور تقویت کننده ای که از مدار ABCC (مدار هوشمند جریان بایاس) بهره می گیرد معرفی شده است. این مدار ولتاژهای ورودی را کنترل می کند. سپس جریان بایاس تقویت کننده را به منظور دستیابی به پایداری و توان مصرفی مطلوب و سرعت بالا فراهم می سازد. این مدار با استفاده از نرم افزار Hspice در تکنولوژی های nm 0/18 و nm 90 مبتنی بر CMOS در دو حالت ، همراه و بدون مدار ABCC مورد تحلیل و شبیه سازی قرار گرفته است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد طراحی با تکنولوژی 90 نانو از لحاظ بهره، حاشیه فاز، سرعت پاسخ دهی وتوان مصرفی در مقایسه با تکنولوژی nm 0/18 ازکارایی بهتری برخوردار است.هم چنین مشاهده کردیم با حذف مدار ABCC علی رغم افزایش بهره ، پایداری مدار دچار خدشه خواهد شد و سیستم بصورت کاملا ناپایدار عمل می کند.
Keywords:
Authors
انوشیروان اسفندیاری بهراسمان
کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش کنترل، دانشگاه آزاد واحد سیرجان، سیرجان، ایران
محمد علی محمدی فرد
دکترا مهندسی برق گرایش کنترل، دانشگاه باهنر کرمان، کرمان، ایران