بهبود ماکزیمم چگالی توان و اثر بدنه شناور در LDMOSFET با ایجاد چاه حفره ای SiGe و فلز شناور
Publish place: First National Conference on Electrical Engineering, Computer Science and Communications Technology
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 618
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECTCONF01_056
Index date: 5 October 2019
بهبود ماکزیمم چگالی توان و اثر بدنه شناور در LDMOSFET با ایجاد چاه حفره ای SiGe و فلز شناور abstract
ترانزیستورهای اثر میدان نفوذ افقی در راه انداز موتور، سوئیچ های توان و سیستمهای مخابراتی کاربرد دارند. اکثر ترانزیستورهای LDMOS با فناوری SOI ساخته میشوند. برتریهای این فناوری از جمله ایزولاسیون عالی، سرعت بالا و تلفات بدنه پایین باعث شده این نوع ترانزیستور به طور گستردهای در حوزه الکترونیک قدرت به کار رود. هر چند به دلیل وجود لایه اکسید مدفون مشکلاتی برای این ترانزیستور ایجاد میشود که کاربردهای آن را در مدارهای مجتمع توان و ولتاژ بالا محدود میکند، مشکل اصلی، ولتاژ شکست پایین این نوع افزاره هاست. در این مقاله ساختار جدیدی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور LDMOS معرفی شده است. ساختار LDMOS پیشنهادی دارای پنجره سیلیسیم-ژرمانیوم فرو رفته در زیر کانال عبور جریان و یک صفحه فلزی بین گیت و درین است. تحلیل عملکرد ساختار پیشنهادی توسط شبیه ساز Silvaco TCAD صورت گرفته است که نشاندهنده نتایج قابل توجهی از جمله یکنواختی پتانسیل الکتریکی، افزایش ولتاژ شکست، کاهش اثر بدنه شناور و در نهایت افزایش جریان درین بوده است.
بهبود ماکزیمم چگالی توان و اثر بدنه شناور در LDMOSFET با ایجاد چاه حفره ای SiGe و فلز شناور Keywords:
بهبود ماکزیمم چگالی توان و اثر بدنه شناور در LDMOSFET با ایجاد چاه حفره ای SiGe و فلز شناور authors
زینب رمضانی
دکتری تخصصی مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی ، تهران
سحر نخبه زعیم
کارشناس مهندسی تکنولوژی الکترونیک، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی ، تهران
نساء برف چالان
کارشناس مهندسی تکنولوژی الکترونیک، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی ، تهران