بررسی عوامل موثر بر مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی کانال n با پیوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهینه سازی عملکرد افزاره در ابعاد نانو

مریم خانی; زهرا آهنگری; حامد نعمتیان

بررسی عوامل موثر بر مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی کانال n با پیوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهینه سازی عملکرد افزاره در ابعاد نانو

Publish place: 7nd National Conference on Nanotechnology from theory to application

Publish Year: 1398

Type: Conference paper

Language: Persian

This Paper With 11 Page And PDF and WORD Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/949490

Document National Code:

NCNTA07_011

Index date: 20 October 2019

بررسی عوامل موثر بر مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی کانال n با پیوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهینه سازی عملکرد افزاره در ابعاد نانو abstract

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی متجانس سیلیسیومی (Si) و نامتجانس InAs-Si نوع n مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. به منظور طراحی یک افزاره بهینه، اثر پارامترهای ساختاری و فیزیکی بر مشخصه های الکتریکی افزاره تونلی متجانس و نامتجانس به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است. مطابق نتایج بدست آمده، افزایش تراکم ناخالصی سورس احتمال تونل زنی را افزایش داده و موجب بهبود جریان حالت روشن می گردد. همچنین با کاهش ضخامت بدنه و ضخامت اکسید گیت به نسبت جریان حالت روشن به خاموش (10)10 و سوئینگ زیر آستانه 7mV/dec دست یافتیم. در ادامه، تحلیل آماری داده ها جهت مشخص نمودن میزان تغییرات جریان حالت روشن، جریان حالت خاموش و سوئینگ زیر آستانه نسبت به پارامترهای ساختاری افزاره انجام شده است. تابع کار گیت، آلایش سورس و ضخامت عایق گیت از پارامترهای تاثیر گذار بر مشخصه الکتریکی ترانزیستور تونلی نامتجانس می باشند. از طرفی مشخصه های الکتریکی افزاره کمترین حساسیت را به طول کانال دارند که این امر بکارگیری افزاره تونلی را در ابعاد نانو تسهیل می کند.

بررسی عوامل موثر بر مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی کانال n با پیوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهینه سازی عملکرد افزاره در ابعاد نانو Keywords:

پیوند نامتجانس , ترانزیستور تونلی , تونل زنی نوار به نوار , سوئینگ زیر آستانه

بررسی عوامل موثر بر مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی کانال n با پیوند نامتجانس InAs-Si به منظور بهینه سازی عملکرد افزاره در ابعاد نانو authors

مریم خانی

گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، تهران، ایران

زهرا آهنگری

گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، تهران، ایران

حامد نعمتیان

گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام (ره) شهرری، تهران، ایران