بهبود عملکرد حافظه SRAM در تکنولوژی نانولوله کربنی
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 519
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECMM02_085
تاریخ نمایه سازی: 7 آبان 1398
Abstract:
سول های حافظه از اساسی ترین اجزا مدارات دیجیتال بخصوص در ساخت حافظه سریع کامپیوتر (کش) می باشد. روند رو به رشد سیست های قابل حمل، طراحان حافظه های SRAM را به سمت تکنولوژی های نوین برای بهبود عملکرد انواع حافظه بخصوص SRAM کشانده است. با ظهور نانولوله های کربنی و به تبع آن ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی، تحول چشمگیری در عرصه ی مدارات الکترونیکی روی داده است و بدلیل مزایای قابل توجه، حافظه های کامپیوتری نیز به کمک این تکنولوژی پیاده سازی شده اند. در این مقاله سلول حاظفه متداول، معرفی شده و به بررسی عملکرد، بهبود و شبیه سازی یک سلول حافظه ی استاتیک با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله کربنی می پردازیم. بدین منظور تاثیر تغییر پارامترهای مختلف نانولوله های کربنی مانند تعداد نانولوله ها، فاصله ی نانولوله ها از یکدیگر، کایرالیتی نانولوله ها و همچنین تاثیر تغییر طول کانال در ترانزیستورهای حافظه بر روی مشخصه های خروجی بررسی شده و تاثیر هر پارامتر معرفی می شود.
Keywords:
Authors
علی حسین هژیرجوان
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مهدی زارع
گروه الکترونیک، واحد شهر قدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران