القای یکسوسازی در نانو نوارهای گرافنی آرمچیر مجاور هم با آلایش با اتم های بور و نیتروژن

ویژگی های الکترونیکی و رفتار یکسوسازی در ساختارهای شامل 3 نانونوار گرافنی آرمچیر مجاور هم که با اتم هاینیتروژون و بور آلایش یافته است، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش 2 نانونوار جانبی دو طرف کانال، که نقش گیت های جانبی را برای نانو نوار مرکزی دارند، سبب تغییر هدایت الکتریکی آنها ونانو نوار کانال نیمه هادی مرکزی غیر آلائیده می گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابلملاحظه ای کاهش می یابد، به صورتی که در ساختار آلایش یافته با هر دو ناخالصی بور و نیتروژن، این ولتاژ در حدود0/2 ولت است. همچنین، نسبت به ساختار آلایش نیافته، جریان الکتریکی بایاس مستقیم ساختارهای آلایش یافتهافزایش یافته است. در بین همه ساختارها، این ساختار 3A(565)BN دارای بالاترین نسبت یکسوسازی به بزرگی (7)3/76x است؛ همچنین، حداکثر جریان بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی مربوط به این ساختار است که 8/29μA می رسد.

Keywords:

نانونوارگرافنی آرمچیر مجاور هم , بور , نیتروژن , یکسوسازی , تنگ بست تابعی چگالی