سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری

Publish Year: 1389
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,556

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

YAZDEEC01_076

Index date: 28 June 2010

ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری abstract

درسالهای اخیر با پیشرفت مقیاس بندی طول کانال افزاره MOSFET در فناوری نانومتری، استفاده از ساختارهای نوین نظیرSIO MOSFET از اهمیت بسزایی برخوردار گردیده است ادوات SOI MOSFET چند گیتی در مقایسه با افزاره های سیلیسیمی عملکرد بسیار بهتری را از خود نشان می دهند اصطلاح چند گیتی در واقع به یک الکترود گیت بر میگردد که دو یا چند ناحیه از کانال را در برگرفته است از میان ادوات SOI MOSFET چند گیتی ، افزارهای نوین گیت 3 دارای مشخصاتی مابین ادوات چهارگیتی و سه گیتی قرار هستند.

ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری Keywords:

ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری authors

مریم نیری

عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مهدیه نیری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

علیرضا حاجی ابراهیمی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Ipri AC."The properties of sil i c on-on-sapphire substrates, devices ...
Sturm JC, Tokunaga k, colinge JP.IEEE Electron Dev Lett 1988. ...
Sekigawa T, Hayashi Y.Solid State Electron, 1984. ...
Hisamoto D, Kaga T, Kawamoto Y, Takeda E.Technical Digest of ...
Colinge JP, Gao MH, Romano A, Maes H, Claeys C.Technical ...
Miyano S, Hirose M, Masuoka F.IEEE Trans Electron Dev 1992, ...
Coling JP, "Multi gate State, 2004, 897 _ ...
Yang F-L, Chen H-K, Cheng F-C, Huang C- C, Chang ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری" توسط مریم نیری، عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد؛ مهدیه نیری، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد؛ علیرضا حاجی ابراهیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد نوشته شده و در سال 1389 پس از تایید کمیته علمی اولین همایش منطقه ای مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله آثار کانال کوتاه، ترانزیستورهای SOI، جریان تحریک هستند. این مقاله در تاریخ 7 تیر 1389 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1556 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که درسالهای اخیر با پیشرفت مقیاس بندی طول کانال افزاره MOSFET در فناوری نانومتری، استفاده از ساختارهای نوین نظیرSIO MOSFET از اهمیت بسزایی برخوردار گردیده است ادوات SOI MOSFET چند گیتی در مقایسه با افزاره های سیلیسیمی عملکرد بسیار بهتری را از خود نشان می دهند اصطلاح چند گیتی در واقع به یک الکترود گیت بر میگردد که دو یا ... . برای دانلود فایل کامل مقاله ادوات نوین SOI MOSFET درمقیاس نانومتری با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.