رشد لایه نازک هماتیت با استفاده از روش رسوب گذاری از فاز مایع برای کاربرد در تجزیه فوتوالکتروشیمیایی آب

در این پژوهش لایه نازک هماتیت بر زیر لایه شیشه با پوشش شفاف اکسید ایندیم- قلع (ITO) با استفاده از روش رسوبگذاری از فاز مایع با ضخامتهای مختلف در دمای 60 °C رشد داده شد. لایه های رشد داده شده خالص و یکنواخت بوده و با عملیات حرارتی در دمای 600 °C کریستالی شدند. آزمون های XRD، طیف سنج مریی فرابنفش، جریان- ولتاژ در تابش و عدم تابش نور مریی به ترتیب جهت تعیین فازهای کریستالی، خواص نوری و رفتار فوتوالکتروشیمایی لایه ها مورد استفاده قرار گرفتند. طبق نتیجهی الگوی پراش پرتو ایکس، لایه ها از جنس هماتیت شناسایی شدند و شکاف انرژی این لایه ها با استفاده از طیف سنجی مریی فرابنفش حدود 1/8 eV اندازه گیری شد. نتایج به دست آمده از منحنی های جریان- ولتاژ، تابش نور مریی به لایه نازک هماتیت جریان را نسبت به حالت تاریک افزایش داده که مقدار این افزایش جریان به ضخامت لایه ها وابسته است. بنابراین لایه های هماتیت رشد داده شده بر روی زیرلایه شیشه با پوشش شفاف اکسید ایندیم- قلع، پتانسیل استفاده در سلول های تجزیه فوتوالکتروشیمیایی آب را دارد.

Keywords:

تجزیه فوتوالکتروشیمیایی آب , خواص نوری , لایه نازک , هماتیت.