طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین

این مقاله به معرفی نتایج یک پژوهش در مورد طراحی و شبیه سازی یک تقویت کنندهCMOS دو طبقه با استفاده از تکنولوژی 0.18μm می پردازد. در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی μm0.18 کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد

طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین Keywords:

بهره , تفاضلی , دو طبقه , 0.18μm , CMOS

طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین authors

پیمان کرمی

دانشگاه جامع علمی کاربردی مینو- خرم دره

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

D. Johns and K Martin, Analog integrated circuit design. John ...

B. Razavi _ Design of analog CMOS integrated circuits. McGraw ...

D. A. Neamen , Electronic circuit analysis ad design 2" ...

P.R.Gray and R.G.Meyer, Analysis and design of analog integrated circuits, ...

A.S.Sedra and K.C.Smith, M icroelectronic circuits, 3rd ed. Holt, Rinehart ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/97684

Document National Code:

IAEEECHB01_014

Index date: 23 July 2010

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

کرمی، پیمان،1389،طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین،The first conference of electrical and computer specialists،Shahrekord،https://civilica.com/doc/97684

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1389، کرمی، پیمان؛ )
برای بار دوم به بعد: (1389، کرمی؛ )
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of University of Applied Science

Type of center: موسسه غیرانتفاعی

Paper count: 10,716

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

Related papers

مقاله فارسی "طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین" توسط پیمان کرمی، دانشگاه جامع علمی کاربردی مینو- خرم دره نوشته شده و در سال 1389 پس از تایید کمیته علمی اولین همایش متخصصین برق و کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله بهره ، تفاضلی ، دو طبقه،0.18μm ، CMOS هستند. این مقاله در تاریخ 1 مرداد 1389 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2489 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که این مقاله به معرفی نتایج یک پژوهش در مورد طراحی و شبیه سازی یک تقویت کنندهCMOS دو طبقه با استفاده از تکنولوژی 0.18μm می پردازد. در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.