ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین

Publish place: The first conference of electrical and computer specialists
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,412

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:
https://civilica.com/doc/97684

شناسه ملی سند علمی:

IAEEECHB01_014

تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1389

Abstract:

این مقاله به معرفی نتایج یک پژوهش در مورد طراحی و شبیه سازی یک تقویت کنندهCMOS دو طبقه با استفاده از تکنولوژی 0.18μm می پردازد. در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی μm0.18 کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد

Keywords:

Authors

پیمان کرمی

دانشگاه جامع علمی کاربردی مینو- خرم دره

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • D. Johns and K Martin, Analog integrated circuit design. John ...
  • B. Razavi _ Design of analog CMOS integrated circuits. McGraw ...
  • D. A. Neamen , Electronic circuit analysis ad design 2" ...
  • P.R.Gray and R.G.Meyer, Analysis and design of analog integrated circuits, ...
  • A.S.Sedra and K.C.Smith, M icroelectronic circuits, 3rd ed. Holt, Rinehart ...
    • نمایش کامل مراجع