تحلیل تاثیرتغییرات ضخامت و ارتفاعFIN بر توان مصرفی و تاخیرانتشاری درتمام جمع کننده ی-CMOSآمیخته

تکنولوژی CMOS به دلیل داشتن برخی محدودیتها مانند اثرکانال کوتاه، تلفات توان، جریان نشتی و غیره، کاربرد مدارهای الکترونیکی در مقیاسنانو را با چالش جدی روبرو کرده است. اخیرا0 پژوهشهای فراوانی برای یافتن جایگزین مناسبی به جای تکنولوژی CMOS صورت گرفته است. ترانزیستورFINFET1 یکی از تکنولوژیهای جایگزین است که قادر به طراحی مدار در مقیاس نانو با کارایی بالا و مصرف توانکم است که میتواند با استفاده از فنآوری سازگار با CMOS مانند لیتوگرافی ساخته شود. شیوه عملکرد آن تقریبا شبیه به ترانزیستور MOSFET مرسوم است. اساس کار این مقاله طراحی تمام جمع کننده به سبک منطقی–CMOS2آمیخته با استفاده از ترانزیستوFINFET مدلBSIM-CMG3، دوگیتی و ساختار FINFET رویBULK میباشد، در این مقاله با توجه به ساختار و معماری ترانزیستورFINFET، تاثیرتغییرات ضخامت و ارتفاع FINها بر روی پارامترهای خروجی تمام جمع کننده مانند تاخیرانتشاری و متوسط توان مصرفی سلول تمام جمع کننده مورد بررسی قرار میگیرد. جهت طراحی جمع کننده از تکنولوژی 16 نانومتر و منبع تغذیه 0,2 ولت و از شبیه ساز HSPICE استفاده خواهد شد. مطابق نتایج شبیه سازی با افزایش ارتفاع وضخامتFIN، متوسط توان مصرفی تمام جمع کننده افزایش پیدا میکند و تاخیرانشاری تمام جمع کننده کاهش پیدا میکند و بلعکس.

تحلیل تاثیرتغییرات ضخامت و ارتفاعFIN بر توان مصرفی و تاخیرانتشاری درتمام جمع کننده ی-CMOSآمیخته Keywords:

تمام جمع کننده -CMOSآمیخته , FINFET , ضخامت و ارتفاع FIN , توان مصرفی , تاخیر انتشاری