وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC نمونه های TeO2-V2O5-SnO براساس مدل جهش پلارون کوچک SPH
Publish place: 6th National Congress on Strategic Research in Chemical and Chemical Engineering with Emphasis on Iranian Native Technologies
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 384
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBGCONF06_098
تاریخ نمایه سازی: 28 بهمن 1398
Abstract:
نمونه های تودهای آمورف با فرمول 50TeO2 − (50 − ) 2 5 − SnO با 5 درصد مولی متفاوت 0 ⩽ ⩽ 20 درصد مولی میباشد با روش سرمایش سریع مذاب ساخته شدند. آنالیز XRD، چگالی با روش ارشمیدس و رسانش الکتریکی DC در این ترکیب ها در گستره ی دمایی 150-330 کلوین با روش چهار سیمه خطی اندازه گیری شد. نتایج تجربی حاصل از وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC شیشه ها با استفاده از مدل رسانش جهشی پلارون کوچک مات مورد بررسی و دقت قرار گرفت. بررسیها نشان میدهد که نتایج در دماهای بالا با مدل رسانش جهشی پلارون کوچک مات و در دماهای پایین با مدلهای رسانش جهشی گستره مات و گریوز همخوانی دارد. همچنین نتایج نشان می دهد افزایش چگالی نمونه های مورد بررسی آمورفی موجب کاهش حجم مولی می شود و با کاهش درصد مولی وانادیم (افزایش درصد مولی اکسید قلع)، افزایش دما روی رسانش الکتریکی نمونه ها کاهش قابل توجهی خواهد یافت و همچنین مقادیر بدست آمده توسط مدل جهشی پلارون کوچک مات برای دو نمونه 10 و 20 با هم سازگاری خوبی دارند.
Keywords:
Authors
الهام پاپی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه صنعتی جندی شاپور دزفول، خوزستان، ایران
علیرضا حکیمی فرد
استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد دزفول، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، خوزستان، ایران
زهرا اسمعیلی طحان
استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد دزفول، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، خوزستان، ایران