بررسی وابستگی موبیلیتی به دما و میدان الکتریکی در ترانزیستورهای لایه نازک آلی به کمک شبیه سازی دو بعدی
Publish place: 13th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,563
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_037
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
Abstract:
در سالهای اخیر ترانزیستورهای اثر میدانی به خاطر کاربردهای فراوان شان در الکترونیک آلی مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است به منظور درک بهتر و بهینه سازی بازده کارکرد این ادوات شبیه سازی های دقیق و کارآمدی مورد نیاز است در این مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با نیمه هادی آلی پنتاسن شبیه سازی می شود و نتایج شبیه سازی با مقادیر تجربی مقایسه و تحلیل م ی گردد. وابستگی موبیلیتی و ولتاژ آستانه به دما بررسی می شود همچنین اثر میدان الکتریکی بر موبیلیتی ترانزیستورهای آلی به کمک شبیه سازی مورد تحقیق قرار می گیرد.
Keywords:
Authors
آمنه بازیار
دانشگاه شهید بهشتی
محمدجواد شریفی
دانشگاه شهید بهشتی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :