طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا
Publish place: Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers، Vol: 16، Issue: 2
Publish Year: 1398
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 489
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_JIAE-16-2_011
Index date: 25 February 2020
طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا abstract
در این کار ما با استفاده از نرم افزار Silvaco Atlas Tcad اثر اضافه کردن یک لایه اضافه همنام BSF را بر عملکرد سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs با پیوند تونلی ناهمگون In0.49Ga0.51P - Al0.7Ga0.3As بررسی نمودیم. این تحلیل ها نشان می دهد اضافه کردن یک لایه BSF به سلول پایین و افزایش ضخامت لایه BSF سلول بالا موجب کاهش بازترکیب و افزایش جریان اتصال کوتاه و درنتیجه افزایش راندمان می شود. ضخامت و غلظت بهینه لایه BSF اضافه شده بیشترین بازده سلول را به 56/83 می رساند. در مرحله بعد برای به دست آوردن ولتاژ مدارباز بالاتر نیمه هادی های با پهنای باند بالا از گروه ѵ-ш را موردبررسی قراردادیم و نیمه هادی In 0.5(Al 0.7Ga 0.3) 0.5P را برای ساختن پیوند ناهمگون با GaAs در سلول پایین یک سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs انتخاب نمودیم. نتایج به دست آمده از بررسی میزان فوتون های تولید شده و واکنش طیفی نشان می دهد پیوند ناهمگون GaAs–InAlGap باعث انتقال بیشتر الکترون ها و حفره های تولیدشده در سلول بالا و بازترکیب کمتر در سلول پایین می شود. برای این ساختار تحت تابش AM1.5 )1sun) مقادیر بهینه (فرمول در متن اصلی مقاله) به دست آمده و درنهایت سلول ارایه شده با مدل های دیگر مقایسه شد
طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا Keywords:
طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا authors
سبحان عباسیان
دانش آموخته کارشناسی ارشد- دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی و شرکت توزیع برق اهواز
رضا صباغی ندوشن
دانشیار- دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی