طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا
Publish place: Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers، Vol: 16، Issue: 2
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 453
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-16-2_011
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1398
Abstract:
در این کار ما با استفاده از نرم افزار Silvaco Atlas Tcad اثر اضافه کردن یک لایه اضافه همنام BSF را بر عملکرد سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs با پیوند تونلی ناهمگون In0.49Ga0.51P - Al0.7Ga0.3As بررسی نمودیم. این تحلیل ها نشان می دهد اضافه کردن یک لایه BSF به سلول پایین و افزایش ضخامت لایه BSF سلول بالا موجب کاهش بازترکیب و افزایش جریان اتصال کوتاه و درنتیجه افزایش راندمان می شود. ضخامت و غلظت بهینه لایه BSF اضافه شده بیشترین بازده سلول را به 56/83 می رساند. در مرحله بعد برای به دست آوردن ولتاژ مدارباز بالاتر نیمه هادی های با پهنای باند بالا از گروه ѵ-ш را موردبررسی قراردادیم و نیمه هادی In 0.5(Al 0.7Ga 0.3) 0.5P را برای ساختن پیوند ناهمگون با GaAs در سلول پایین یک سلول خورشیدی دو پیوندی InGap / GaAs انتخاب نمودیم. نتایج به دست آمده از بررسی میزان فوتون های تولید شده و واکنش طیفی نشان می دهد پیوند ناهمگون GaAs–InAlGap باعث انتقال بیشتر الکترون ها و حفره های تولیدشده در سلول بالا و بازترکیب کمتر در سلول پایین می شود. برای این ساختار تحت تابش AM1.5 )1sun) مقادیر بهینه (فرمول در متن اصلی مقاله) به دست آمده و درنهایت سلول ارایه شده با مدل های دیگر مقایسه شد
Keywords:
Authors
سبحان عباسیان
دانش آموخته کارشناسی ارشد- دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی و شرکت توزیع برق اهواز
رضا صباغی ندوشن
دانشیار- دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی