سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی

Publish Year: 1389
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,167

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ISCEE13_322

Index date: 5 August 2010

تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی abstract

امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تاثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. یکی از عوامل تاثیر گذار بر عملکرد این افزاره، اثر ثابت دی الکتریک عایق گیت، به ویژه در ناحیه زیر آستانه معکوس و اشباع معکوس، برمشخصه ترانزیستور است. بررسی نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که افزایش ثابتدی الکتریکعایق گیت بر شیب زیر آستانه ترانزیستور چندان تاثیر گذار نیست. اما ترارسانایی و ولتاژ آستانه ترانزیستور را تغییر می دهد. همچنین هدایت خروجی، جریان اشباع معکوس و نرخ جریان حالت روشن به خاموشبه طور چشمگیر تغییر می کنند. در این مقاله نرخ جریان در دو ولتاژ گیت ۰,۴ و ۱ ولت به عنوان ولتاژ عملکردی ترانزیستور بررسی می گردد. افزاره یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور بوده که توسط شیوه تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی می گردد.

تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی Keywords:

تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی authors

شاهین قربانی زاده شیرازی

دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین

ستار میرزاکوچکی

دپارتمان برق و الکترونیک، دانشگاه علم و صنعت

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
_ Special issue O1 carbon nanotubes, Physics World, 13 (6), ...
P. L. McEuen, M. S. Fuhrer, and Park Hongkun, :Single-walled ...
S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, ...
R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and ...
J. Guo, M. lundstrom , "Device Simulation of SWNT-FETs", edited ...
S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. "Carbon ...
nanotubes as Schottky barrier transistors, " Physical Review Letters, Vol. ...
A. Javey, R. Tu, D. B. Farmer, J. Guo, R. ...
S. Datta, "Nanoscale device modeling: the Green's function method, " ...
S. Datta, Quantum transport : atom to UK; New York: ...
Cambridge University Press, 2005. ...
M. Lundstrom, Fundamentas of Carrier nd ...
Tranpsort, 2 Edition, Cambridge University Press, Cambridge, UK, 2000 . ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی" توسط شاهین قربانی زاده شیرازی، دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین؛ ستار میرزاکوچکی، دپارتمان برق و الکترونیک، دانشگاه علم و صنعت نوشته شده و در سال 1389 پس از تایید کمیته علمی سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی، نانولوله کربنی،ثابت دی الکتریک، مشخصه انتقال، تابع گرین غیر تعادلی هستند. این مقاله در تاریخ 14 مرداد 1389 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1167 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تاثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. یکی از عوامل تاثیر گذار بر عملکرد این افزاره، اثر ثابت دی الکتریک عایق گیت، ... . برای دانلود فایل کامل مقاله تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.