تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی
Publish place: 13th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,133
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_322
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
Abstract:
امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تاثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. یکی از عوامل تاثیر گذار بر عملکرد این افزاره، اثر ثابت دی الکتریک عایق گیت، به ویژه در ناحیه زیر آستانه معکوس و اشباع معکوس، برمشخصه ترانزیستور است. بررسی نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که افزایش ثابتدی الکتریکعایق گیت بر شیب زیر آستانه ترانزیستور چندان تاثیر گذار نیست. اما ترارسانایی و ولتاژ آستانه ترانزیستور را تغییر می دهد. همچنین هدایت خروجی، جریان اشباع معکوس و نرخ جریان حالت روشن به خاموشبه طور چشمگیر تغییر می کنند. در این مقاله نرخ جریان در دو ولتاژ گیت ۰,۴ و ۱ ولت به عنوان ولتاژ عملکردی ترانزیستور بررسی می گردد. افزاره یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور بوده که توسط شیوه تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی می گردد.
Keywords:
Authors
شاهین قربانی زاده شیرازی
دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
ستار میرزاکوچکی
دپارتمان برق و الکترونیک، دانشگاه علم و صنعت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :