Performance Investigation of Junctionless FinFET

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 391

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_107

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

Abstract:

In this paper, we study the effect of channel length of the junctionless transistor on the device performance through device simulation. The transistor parameters such as threshold voltage, transconductance, subthreshold slope are investigated

Authors

B. Fakhr

Department of Electrical Engineering, Neyshabur Branch ,Islamic Azad University Neyshabur ,Iran

S.E. Hosseini

Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad Mashhad, Iran

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • G. C. Tettamanzi, A.P., G. P. Lansbergen, J. Verduijn, S. ...
  • D. Lederer, V.K., T. Rudenko, N. Collaert, D. Flandre, A. ...
  • Armstrong, A.Ka.G.A., Performance assessment of nanoscale double- and triple-gate FinFETs. ...
  • N anotechnology, vol. 5, pp.225-229, 2010. ...
  • C. W. Lee, A.B. I. Ferain, A. Afzalian, R. Yan, ...
  • C.-W. Lee, A.A., N. D. Akhavan, R. Yan, I. Ferain, ...
  • C. W. Lee, I.F., A. Afzalian, R. Yan, N. D ...
  • Jean-Pierre Colinge, C.-W.L, Isabelle Ferain, Nima Deh dashtiAkhavan, Ran Yan, ...
  • Oxi de-Semic onductor Field-Effect Transistors Fabricated on Ultrathin Ge on-Insulator ...
  • E. Gnani, A.G., S. Reggiani, and G. Baccarani, "Physical model ...
  • Duarte, J.P., Choi, S.J., Moon, D.I., Choi, Y.K., "Simple analytical ...
  • Lee, Y. -H.J. C.H.P.a.J.-S., "Electrical characteristics of 20-nm junctionless si ...
  • Su, C.J., Tsai, T.I., Liou, Y.L., , Lin, Z.M., Lin, ...
  • Atlas User's Manual: Device Simulation Software, 2010. ...
  • Doyoung Jang, J.W.L., Chi-Woo Lee, Jean-Pierre, L.M. Colinge, Jung I ...
  • نمایش کامل مراجع