بررسی تاثیر دمای لایه نشانی بر روی خواصاپتیکی و مکانیکی لایه اکسید سیلیکون بر روی زیر لایه سیلیکون
Publish place: 2nd National Conference on Optic and Laser Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,022
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_155
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
Abstract:
اعمال تغییرات در دمای زیر لایه در فرآیند لایه نشانی می توان لایه های اکسید سیلیکون با مشخصات اپتیکی و مکانیکی دلخواه بدست آورد . دمای زیر لایه از دمای محیط تا حدود 200c تغییر داده شد و ویژگی های اپتیکی و مکانیکی جداگانه مورد بررسی قرار گرفت . در دماهای لایه نشانی بالا مشخصات اپتیکی مناسب است ولی تنشبین لایه و زیر لایه زیاد می شود و دردماهای پایین تنشکم می شود ولی ساختار لایه ها از نظر اپتیکی مناسب نیست
Keywords:
چگالی بهم پکیدگی – تنش– توان عبور
Authors
اسماعیل زاهدی
مرکز ساخت قطعات اپتیکی صنایع الکترونیک شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :