میکروسویچ تمام نوری قابل استفاده در مدارهای مجتمع فوتونیکی، با در نظر گرفتن اثر غیرخطی کر در کوپلرMMI
Publish place: 2nd National Conference on Optic and Laser Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,935
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_173
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
Abstract:
در این مقاله، اثر غیرخطی کر ، با روشانتشار مد MPA)در کوپلر MMI مورد مطالعه قرار گرفته است. میدان در ناحیه MMI با حل دستگاه معادلات غیر خطی کوپل شده و بدست آوردن میدان مدهای هدایتی، قابل محاسبه است. با بررسی انتشار نور در ناحیه غیرخطی اولین خود تصویری مشاهده و با تحلیل انتشار درMMI خطی و غیرخطی، اساسکار یکمیکروسویچ تمام اپتیکی نمایان شدهاست. با استفاده از انتگرالهای همپوشانی طولی و عرضی میدان در لبههای موجبرهای خروجی، ضرایب جفتشدگی و عبور کوپلر MMI بدست آمده و با تاثیر ضرایب از شدت نور ورودی، اساسکار یکمیکرو سویچ تمام نوری قابل استفاده در مخابرات فوتونیکی بررسی شدهاست.
Keywords:
Authors
مهدی تاج الدینی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت، گروه فیزیک
محمد خان زاده
دانشگاه ولی عصر(عج) رفسنجان، گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :