روش المان محدود توسعه یافته در میدان های الکترومغناطیسی

در این مقاله، اصول اساسی روش المان محدود توسعه یافته در تحلیل میدان الکترومغناطیسی بررسی می شود. این روش، تقریب نسبتا دقیقی را برای ویژگی های موضعی ناهموار در داخل المان محدود مانند تکینگی ها، ناپیوستگی ها و مشتقات زیاد فراهم می آورد. به منظور بهبود تقریب روش المان محدود متداول، یک تابع غنی سازی جایگزین معرفی شده است، به طوری که راه حل های ناهموار، مستقل از شبکه مدل سازی شده اند. روش تنظیم سطح برای توصیف سطوح مشترک در بین مواد مختلف به کار گرفته شده است. برای نشان دادن مزایا، حل میدان الکتریکی یک بعدی با روش المان محدود توسعه یافته و روش متداول، مقایسه شده است.

Keywords:

روش المان محدود توسعه یافته , تابع غنی سازی , تنظیم سطح , میدان الکترومغناطیسی