تحلیل و شبیه سازی اثر مواد دو بعدی مختلف (MoS۲ , WS۲ , WTe۲) روی مشخصات ترانزیستور اثر میدانی
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 299
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC05_066
تاریخ نمایه سازی: 22 اردیبهشت 1400
Abstract:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی بر پایه مواد دو بعدی دی کالکوژن را به صورت انتقال کوانتومی بررسی می کنیم. اینجا ترانزیستور اثر میدانی را با مواد دو بعدی دی کالکوژن (MX۲)MoS۲ و WTe۲ و WS۲ شبیه سازی می شود. مواد دو بعدی دی کالکوژن به دلیل اینکه باند گپ مناسب و کوچکی در دو حالت تک لایه و چند لایه دارند انتخاب شده اند. شبیه سازی با استفاده از روش تنگ بست (tight binding) و با استفاده از ماتریس همیلتونی و تابع گرین (NEGF) انجام شده است. همچنین اثر طول و عرض گیت با این سه ماده ی متفاوت بررسی می شود.
Keywords:
مواد دوبعدی دی کالکوژن , ترانزیستور اثر میدانی , MoS۲ و WS۲ و WTe۲ , روش تنگ بست (tight binding) , تابع گرین (NEGF) , ماتریس همیلتونی
Authors
عاطفه رهبرپور
فارغ التحصیل کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران
علیرضا رهبرپور
عضو باشگاه پژوهشگران جوان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران
سینا جمشیدی
فارغ التحصیل کارشناسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران