تقویت کننده حسی سرعت بالا و کم توان برای سلولهای SRAM با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,093
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_251
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
Abstract:
این مقاله به شبیه سازی دو نوع تقویت کننده حسی sense amplifier نوع ولتاژ با ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی می پردازد شبیه سازی ها با استفاده ازمدل CNTFET ارائه شده توسط دانشگاه استنفورد انجام شده است برای مقایسه این دو تقویت کننده حسی با استفاده از مدل پیشگوی 32nm در تکنولوژی cmos نیز شبیه سازی شده است نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار hspice نشان میدهد که درهر دو تقویت کننده حسی شکل موج خروجیدر تکنولوژی CNTFET نسبت به تکنولوژی CMOS دارای جهش کمتر می باشد و توان و تاخیر بهبود قابل توجهی یافته است در مورد تقویت کننده ی حسی ولتاژ رایج توان و تاخیر در تکنولوژی CNTFET نسبت به CMOS به ترتیب 65% و 41% درصد بهبود یافته است. درمورد تقویت کننده نوع دوم که از نظر تاخیر نسبت به نوع رایج بهبود یافته است نیز توان و تاخیر در تکنولوژی CNTFET به ترتیب 50 و 8% کمتر است.
Keywords:
Authors
مرتضی تقوی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
زین العابدین کرمی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
وحید عطار
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سیدامیرمسعود میری
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :