بررسی اثر بازترکیب در سلول خورشیدی چاه کوانتومی InGaP/InGaAs/Ge
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,165
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_276
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
Abstract:
سلولهای خورشیدی چاه کوانتومی به عنوان نسل سوم سلولهای خورشیدی جایگاهی مهم در تبدیل انرژی های نوری پیدا کرده اند بالا بردن بازده این گونه سلولها کمک شایانی به تولید و استفاده بهینه تر از انرژی خورشیدی می کند دراین مقاله پدیده بازترکیب در یک سلول نمونه InGaP/InGaAs/Ge بررسی شده است در ادامه پس از بررسی عوامل بازترکیب به کمک روش ماتریس انتقالی TMM و حل معادله شرودینگر رابطه بین بازترکیب و عمق چاه کوانتومی سلول محاسبه و نتایج با مدل عملی مقایسه شده است برای شبیه سازی از نرم افزار MATLAB استفاده شده است.
Keywords:
روش ماتریس انتقالی , سلول خورشیدی چاه کوانتومی
Authors
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران اهواز
علیرضا کرامت زاده
دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :