طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE

هدف از این گزارش طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم آرسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE می باشد لایه گالیم آرسناید رشد داده شده به فرم چهارپر Clover leaf شکل داده شده و برای ساخت حسگر مورد استفاده قرارگرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است در نهایت با اندازه گیری های انجام شده حساسیت جریانی S1 اینحسگر 7.3A/VT و غلظت الکترونهای لایه رشد داده شده 5.67×10 17cm-3 و قابلیت تحرک الکترونها موبیلیته 3274cm2/V.S بدست آورده شده است.

طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE Keywords:

گالیم آرسناید , رونشستی پرتومولکولی , حسگر مغناطیسی

طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE authors

حجت اله حمیدی

دانشگاه علم وصنعت ایران

حمیدرضا صوفی

علی وفایی

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/127984

Document National Code:

ISCEE04_059

Index date: 5 December 2011

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

حمیدی، حجت اله و صوفی، حمیدرضا و وفایی، علی،1380،طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE،4th Iranian Student Conference on Electrical Engineering،Tehran،https://civilica.com/doc/127984

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1380، حمیدی، حجت اله؛ حمیدرضا صوفی و علی وفایی)
برای بار دوم به بعد: (1380، حمیدی؛ صوفی و وفایی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Citation

بر اساس سیستم تحلیلی استنادات مقالات، تاکنون برای نگارش 3 Paper استفاده شده است.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Iran University of Science and Technology

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 28,960

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

Related papers

مقاله فارسی "طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE" توسط حجت اله حمیدی، دانشگاه علم وصنعت ایران؛ حمیدرضا صوفی؛ علی وفایی نوشته شده و در سال 1380 پس از تایید کمیته علمی چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله گالیم آرسناید، رونشستی پرتومولکولی، حسگر مغناطیسی هستند. این مقاله در تاریخ 14 آذر 1390 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1533 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که هدف از این گزارش طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم آرسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE می باشد لایه گالیم آرسناید رشد داده شده به فرم چهارپر Clover leaf شکل داده شده و برای ساخت حسگر مورد استفاده قرارگرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.