مطالعه ی شکست های ایجاد شده به وسیله ی اثرهای مستقیم الکترون های تک انرژی در صورت بندی B مولکول DNA با استفاده از کد Geant۴

 شکست های تک رشته ای و دورشته ای ایجاد شده به وسیله ی اثرهای مستقیم الکترون های تک انرژی در گستره ی انرژی ۱ تا ۲۰ کیلوالکترون ولت، نسبت آن دو و آمار برخورد در قسمت های مختلف صورت بندی B مولکول DNA با استفاده از کد مونت کارلوی Geant۴، مورد مطالعه قرار گرفته و با نتایج یکی از شاخص ترین مطالعه ی توسعه دهنده ی مدل ساختاری ماده ی وراثتی، مقایسه شد. قطعه های DNA با طول ۳۴ جفت باز و به تعداد ۱۶۰۰۰۰ قطعه در حجم معادل هسته ی سلول جانوری به صورت تصادفی شبیه سازی شدند و نتایج براساس تعداد رخداد به ازای دز جذبی واحد (۱ گری) و ۱ گیگاجفت باز از ماده ی وراثتی سازنده ی یک سلول (حاوی ۶ گیگا جفت باز) بهنجار شد. بیش ترین آمار برخورد در مدل، مربوط به حجم حساس فسفودی استر سازنده ی مارپیچ DNA و بیش ترین تعداد شکست تک رشته ای مربوط به انرژی اولیه ی الکترون ۸ کیلوالکترون ولت بود. در این انرژی، میانگین تعداد شکست های تک رشته ای و دورشته ای به ازای یک گری از دز جذبی در هر گیگا جفت باز از ماده ی وراثتی سلول، به ترتیب، ۶/۲۴ و ۲۹۵/۰ بود. میانگین نسبت تعداد شکست دورشته ای به تعداد شکست تک رشته ای در این محدوده از انرژی برابر با ۰۳۱/۰ به دست آمد.  

Keywords:

الکترون تک انرژی , شکست تک رشته ای , شکست دورشته ای , مدل حجمی DNA , Geant۴