بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH
Publish place: New Processes in Material Engineering، Vol: 9، Issue: 3
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 191
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_MAIA-9-3_011
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1400
Abstract:
این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون (۱۰۰) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظتهای مختلف ۵%، ۱۰%، ۱۵% و ۲۵% و در دماهای مختلف oC ۷۰، oC ۸۰ و oC۹۰ انجام شد. نتایج نشان میدهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش مییابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظتهای بیشتر از ۱۰% کاهش مییابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h۶۲ در غلظت۱۰% و دمای oC ۹۰ است. تصاویر SEM نشان میدهد که در سطح سیلیکون برآمدگیهای شبیه به تپههای هرمی شکل کوچک ظاهر میشود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت TMAH کاهش مییابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH با غلظتهای بالا، صافتر میباشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <۱۰۰> نسبت به صفحه <۱۱۱> برای TMAH با غلظت۱۰% به دست آمده است که مقدار آن ۶/۱۰ است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.
Keywords:
Authors
حسن عبداللهی
مدیر پژوهش دانشکده برق دانشگاه هوائی شهید ستاری
حسن حاج قاسم
عضو هیات علمی دانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :