خواص ترموالکتریکی نانو نوارهای سیلیسن لبه دسته مبلی ناقص شده با آرایه هایی از پادنقطه کوانتومی

در این مطالعه، با استفاده از مدل تنگ بست و فرمولبندی تابع گرین غیر تعادلی، خواص ترموالکتریکی نانو نوارهایسیلیسن لبه دسته مبلی ساده (ASNR) و نانو نوارهای سیلسن لبه دسته مبلی ناقص شده با آرایه هایی از پادنقطه کوانتومی (نانوحفره سیلیسن لبه دسته مبلی) (ASNM) بررسی شده است. نانو نوارهای ناقص شده با اعمال آرایه هایی از پادنقطه کوانتومی به شکل لوزی در ناحیه مرکزی و الکترودهای نانو نوار ساده به وجود آمده اند. لازم به ذکر است که درحضور آرایه های از پادنقطه کوانتومی، پراکندگی الکترون و فونون به نانو نوار اعمال می گردد. این پراکندگی ها، خواصالکترونی جدیدی مثل ضریب سیبک، رسانندگی گرمایی فونونی و بهره ترموالکتریکی را نتیجه می دهد. ما نتیجه میگیریم که اعمال آرایه هایی از پادنقطه کوانتومی در نانو نوار، راه را برای طراحی دستگاه های ترموالکتریک بهتر و کارآمدتردر مقیاس نانو هموار می کند.

Keywords:

سیلیسن , ضریب سیبک , بهره ترموالکتریکی