مطالعه ی ابتدابه ساکن طیف اتلاف انرژی الکترونی تک لایه ی Sc۲C(OH)۲ در حضور ناخالصی سیلیکون
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 169
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TAAPY01_048
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1401
Abstract:
مطالعه حاضر در چارچوب نظریه تابعی چگالی به بررسی طیف اتلاف انرژی الکترونی لبه K کربن در ساختار Sc۲C(OH)۲ در حضور ناخالصی سیلیکون میپردازد. این ترکیب در حضور ناخالصی سیلیکون، از یک نیم رسانا با گاف نواری ۰/۵۷ eV به یک عایق توپولوژیک با گاف نواری صفر و وارونی نواری تغییر ساختار و خواص میدهد. منشا ساختارهای طیف اتلاف مغزه در ترکیب با و بدون ناخالصی سیلیکون حالتهایπ و σاست. تحلیل چگالی حالتها این نتیجه را تایید میکند.
Keywords:
ناخالصی سیلیکون , اتلاف انرژی نزدیک ساختار لبه (ELNES) , چگالی حالات (DOS) , نظریه ی تابعی چگالی .(DFT)
Authors
یاسمن نادری
دانشکده ی علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، لرستان، ایران
ریحان نجاتی پور
دانشکده ی علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، لرستان، ایران
مهرداد دادستانی
دانشکده ی علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، لرستان، ایران