رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک
Publish place: 11th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1382
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 859
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE11_138
Index date: 8 July 2012
رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک abstract
نانو تیوبهای کربنی با استفاده از روشCCVD و PECVDرشد داده میشوند و اثر دما و مدت زمان آزمایش و نوع زیر لایه بر روی فرآیند رشد مورد بررسی قرار می گیرد. نانوتیوبها برای رشد نیاز به نانوذرات کاتالیست به عنوان مراکز هسته بندی با قطر در حد نانومتر دارند که این نانو ذرات با استفاده از عملیات گرمائی و زدایش بر روی لایه نازک کاتالیست بدست می آیند نانو تیوبها بصورت نامنظم بر روی این جزایر نانو متری رشد می کنند و قطر این جزیره ها تعیین کننده قطر نانو تیوب می باشد. در این مقاله نشان می دهیم که قطر جزایر نانومتری به ضخامت اولیه کاتالیست بستگی دارد و زمان انباشت طول آنها را کنترل می کند
رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک Keywords:
کربن . نانوتیوب کربن. بخار شیمیائی پلاسمائی
رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک authors
بهرام گنجی پور
گروه فیزیک دانشگاه تهران
حسین حسام زاده
گروه مهندسی شیمی دانشگاه تهران
ابراهیم یوسف نژاد
گروه مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه تهران
شمس الدین مهاجرزاده
گروه مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :