بررسی و شبیه سازی اثرتغییرات آلایش سورس و درین برعملکرد دیود اثرمیدانی نانومتری
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 923
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_097
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
هدف این مقاله بررسی اثرتغییرات میزانآلایش سورس و درین با عملکرد دیود اثرمیدانی اصلاح شده Modified-FEDاست ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET می باشد بطوریکه الایش سورس و درین آن متفاوت بوده و از هر دو آلایش نوع p,n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است این افزاره قابلیت روشن وخاموش شدن با ولتاژ گیت ها را دارد نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده ازنرم افزار ise-TCAD نشان میدهد که این افزاره با قابلیت ترانزیستوری با اعمال ولتاژ حالت خاموشی جریان بسیار اندکی را عبور میدهد به منظور یافتن میزان بهینه آلایش سورس و درین این افزاره درآلایش های 17 10 و 19 10 و 21 10cm-3 شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراین مقاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان پروفایل چگالی حامل ها نوارهای انرژی و همچنین موبیلیتی حامل ها مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که بهینه مقدار آلایش سورس و درین برای چنین ساختاری 21 10 cm-3 می باشد که درآن نسبت Ion/Ioff افزاره از مرتبه بزرگی 5 10 بوده که مقدار قابل توجهی به شمار می اید
Keywords:
Authors
نگین معنوی زاده
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک و نانوالکترونیک دانشگاه تهران
مهدی پورفتح
انیستیتو میکروالکترونیک دانشگاه صنعتی وین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :