شبیه سازی عددی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم GaAsبه روش مونت کارلو
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,083
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_185
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
در این مقاله روابط بسته ای برای پراکندگی فونونهای نوری غیرقطبی بین دره ای و فونونهای نوری قطبی در ساختار یک بعدی نانوسیم GaAs/AlGaAs ارائه کرده ایم. روابط بسته ما را از محاسبات زمان برحل عددی انتگرالهای پیچیده در روابط پراکندگی نانوسیمها بی نیاز میکند با استفاده از روابط پراکندگی فونونهای صوتی و فونونهای نوری غیرقطبی بین دره ای و درون دره ای و فونونهای نوری قطبی به شبیه سازی وبررسی مشخصه های ترانزیستور نانوسیمی به روش مونت کارلو پرداخته ایم. در این شبیه سازی، دو دره L و Γ هر کدام با 9 تراز انرژی در نظر گرفته ایم. توابع موج و ترازهای انرژی نانوسیم را از ترکیب چاه پتانسیل مثلثی و چاه پتانسیل مربعی بینهایت بدست آوردهایم. اثر تغییرات دما،ولتاژها و طول کانال را بر روی مشخصه های ترانزیستور نانوسیم نیز مورد بررسی قرار دادهایم
Keywords:
نانوسیم , ترانزیستور اثرمیدانی , مونت کارلو , پراکندگی حاملها , فونونهای صوتی , فونونهای نوری غیر قطبی , فونونهای نوری قطبی
Authors
محمد پرتوی نژاد
دانشگاه شاهد
کامیار ثقفی
گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شاهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :