Transmission Line Model (TLM) Method Study of Nanostructural AuGeNi/n-GaAs Ohmic Contact Layer for Different Substrate Deposition Temperature
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,084
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_077
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
Because of the importance of ohmic contact in semiconductor devices, in this study, AuGeNi thin films were depositedby thermal evaporation technique at substratedeposition temperaturefrom 80 °C to 230 °C andannealed at the same conditions. Thencontact resistivity and surface morphology was investigated. Surface morphology wasinvestigatedby Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM). The compositions of differentzones have been determined by use of x- ray Energy-Dispersive Spectrum (EDS) analysis. Contact resistivity of the samples ismeasured using a conventional Transmission Line model (TLM) method.So from the I-V curves and the other mentioned analysis results, it is concluded that the sample which was deposited at180°C indicates the best electrical and morphological properties.
Keywords:
Authors
M. Khani
Departmentof Physics, University of Tarbiat Moallem
A. Goodarzi
Iranian National Centre for Laser Science and Technology
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :