Nichols Stability Analysis for Single Wall Carbon Nanotube Interconnects Used in 3D-VLSI Circuits
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,278
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_267
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
Nichols stability analysis based on transmission line modeling (TLM) for single wall carbon nanotube (SWCNT) interconnects used in 3D-VLSI circuits is investigated for thefirst time. In this analysis, the dependence of the degree of relative stability for SWCNT interconnects on the geometry ofeach tube has been acquired. It is shown that, increasing the length and diameter of each tube, SWCNT interconnects become more stable
Keywords:
single wall carbon nanotubes , interconnects , interlayer via , transmission line method , Nichols stability criterion
Authors
Bita Davoodi
Department of Electrical Engineering, Qazvin Islamic Azad University
Rahim Faez
Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology
Saeed Haji Nasiri
Department of Electrical Engineering, Qazvin Islamic Azad University
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :