بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)

علی کوچک زاده; سیدعلی علویان; اسکندر کشاورزعلمداری; عبدالغفار برزگر

بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)

Publish place: 02nd joint conference of Iranian Metallurgical Engineers Society and Iranian Foundry men

Publish Year: 1387

Type: Conference paper

Language: Persian

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/155539

Document National Code:

IMES02_210

Index date: 10 August 2012

بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS) abstract

امروزه ازتکنولوژی ساخت لایه های نازک بصورت گسترده در ساخت سیستم های میکروالکترومکانیک (MEMS) استفاده می شود. سرامیک پیزوالکتریک تیتانات زیرکونات سرب (PZT) با فرمول Pb(Zrx,Ti1-x)O3 بصورت لایه نازک بر روی زیرلایه ای از Si/SiO2 /Ti/Pt و به روش اسپاترینگ مغناطیسی RF راسب می شود. کاربرد لایه نازک تیتانیوم بعنوان عامل چسبنده بین لایه پلاتین و زیرلایه سیلیکون می باشد و لایه نازک پلاتین نیز بعنوان الکترود پایینی در جهت کریستالوگرافی (111) رشد نموده که با آنالیز XRD قابل اثبات است. انجام عملیات آنیل بر روی مجموعه چند لایه ای سیلیکون منجر به ایجاد ساختارکریستالی پروفسکیت در لایه PZT و رشد آن در جهت مرجح (111) می شود اما در عین حال نفوذ اتمهای تیتانیوم به لایه پلاتین و نیز نفوذ اتمهای سرب موجود در PZT به سمت زیرلایه سیلیکون را در پی خواهد داشت که موجب ایجاد تاول و متعاقب آن تخریب در لایه های نازک پلاتین و PZT و کاهش خواص فروالکتریک و پیزوالکتریک PZT می شود. در این تحقیق اثر عوامل مختلفی نظیر دما و زمان آنیل، ضخامت لایه های مختلف و استفاده از لایه های بازدارنده نفوذ نظیر اکسید چند گانه تیتانیوم TiOx بر ساختار و خواص پیزوالکتریک PZT مورد بررسی قرار گرفت و مشخص گردید که عملیات آنیل نمونه ها در دمای °c 650 به مدت 30 دقیقه و ضخامت nm 10 برای لایه تیتانیوم و nm 200 برای لایه پلاتین بهترین نتایج را برای خواص پیزوالکتریک PZT بدست می آورد

بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS) Keywords:

PZT , MEMS , نفوذ- عملیات حرارتی آنیل

بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS) authors

علی کوچک زاده

دانشجوی کارشناسی ارشد

سیدعلی علویان

دانشجوی کارشناسی

اسکندر کشاورزعلمداری

معاونت پژوهشی پژوهشگاه مواد و انرژی- دانشیار دانشکده مهندسی معدن و م

عبدالغفار برزگر

استادیار دانشکده مهندسی مواد دانشگاه شیراز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

T. Haccart, E. Cattan, D. Remiens Dielectric, ferroelectric and piezoelectric ...

orientation 'S emiconductor Physics, Quantum Electronics & Op toelectronics _ ...

C. Millon, C. Malhaire, D. Barbier ' Ti and TiOx ...

properties of sputtered PZT thin films' Sensors and Actuators A ...

Ye-Sul Jeung, Hyun-Uk Lee, et al. _ Annealing effect of ...

G. _ _ 'Electrical Properties of Sputtered PZT Films on ...

C. Millon, C. Malhaire, C. Dubois, D. Barbier' Control of ...

F.F.C. Duval, R.A. Dorey, R.H. Haigh, R.W. Whatmore' Stable TiO2/P ...

Ching-Liang Dai , Fu-Yuan Xiao, Chi-Yuan Lee, Ying-Chou Cheng, Pei-Zen ...

Abhishek Sivapurapu' PIEZ OEL E CTRICALLY -TRANS DUCED SILICON ...

نمایش کامل مراجع