Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings
عنوان
Paper

Single Kappa Halo Carbon Nanotube Field Effect Transistor: A Novel Device for Short Channel Effects Improvement without Reducing Saturation Current

تعداد صفحات: 8 | تعداد نمایش خلاصه: 1042 | نظرات: 0
سال انتشار: 1390
کد COI Paper: SASTECH05_206
زبان Paper: Englishglish
(فایل این Paper در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این Paper

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این Paper را خریداری نمایید.

با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک Paper) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید.در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.

لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این Paper، ابتدا تعداد صفحات Paper را در بالای این صفحه کنترل نمایید.

برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل Paper

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 8 صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : 3,000 تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان Paper Single Kappa Halo Carbon Nanotube Field Effect Transistor: A Novel Device for Short Channel Effects Improvement without Reducing Saturation Current

چکیده Paper:

In this paper a novel Single Kappa Halo Carbon Nanotube Field Effect Transistor (SKH-CNTFET) is presented and investigated theoretically. In SKH-CNTFET, compare with Conventional Carbon Nanotube Field Effect Transistor (C-CNTFET) structure, a small region of gate insulator at source side is replaced by an oxide with higher dielectric constant which is called kappa halo. By applying kappa halo, a perceivable step in the surface potential profile is observed which suppresses the short channel effects. Simulation results show that the proposed structure has lower short channel effects and higher on/off current ratio compare with C-CNTFET while the saturation current is not reduced. The simulations are based on the self-consistent solution of the two-dimensional Poisson–Schrodinger equation within the non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism

کلیدواژه ها:

CNTFET, Kappa Halo, NEGF, Subthreshold Swing

کد Paper/لینک ثابت به این Paper

برای لینک دهی به این Paper می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت Paper در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/157501/

کد COI Paper: SASTECH05_206

نحوه استناد به Paper:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این Paper ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
undefined, undefined و undefined, undefined و undefined, undefined,1390,Single Kappa Halo Carbon Nanotube Field Effect Transistor: A Novel Device for Short Channel Effects Improvement without Reducing Saturation Current,پنجمین کنفرانس بین المللی پیشرفت های علوم و تکنولوژی,Mashhad,,,https://civilica.com/doc/157501

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1390, Naderi, Ali؛ Parviz Keshavarzi و Ali Asghar Orouji)
برای بار دوم به بعد: (1390, Naderi؛ Keshavarzi و Orouji)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مPaperقاله لینک شده اند :

  • "sAsrech 201 1, Khavaran Higher-education Institute, Mashhad, Iran. May 12-14. ...
  • Martel, R., Schmidt, T., Shea, H. R., Hertel, T., & ...
  • Naderi, A., Keshavarzi, P., & Elahipanah, H. (2010.a), The Impact ...
  • Naderi, A., Orouji, A. A., & Keshavarzi, P. (2010.b), Investigation ...
  • Naveh, Y., & Likharev, K. K. (2000). Modeling of 10-nm-Scale ...
  • Tans, S. J., Verschueren, A. R. M., & Dekker, C., ...
  • Support