ماده تاریک برداری لپتوفیلیک و افزایش پس زنی الکترونی در XENON۱T
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 22، Issue: 4
Publish Year: 1401
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 214
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PSI-22-4_015
Index date: 18 June 2023
ماده تاریک برداری لپتوفیلیک و افزایش پس زنی الکترونی در XENON۱T abstract
با در نظر گرفتن پس زنی الکترونی در آزمایش XENON۱T که اخیرا مشاهده شده است، ما پدیده شناسی ماده تاریک برداری را در تعمیم های لپتوفیلیک مدل استاندارد بررسی می کنیم، در حالی که نقش میدان های واسطه را میدان های جدید نرده ای، برداری و اسپینوری بازی می کنند. فضای پارامتری مناسبی اختیار می شود تا امکان ماده تاریک برداری سبک با جرم ۲/۳ کیلو الکترون-ولت و منطبق با چگالی باقیمانده ماده تاریک را به دست آوریم. همچنین اثر قیدهای ناشی از گشتاور مغناطیسی ناهنجار میون، سنتز نوکلئونی باریون ها و آزمایش های آشکارسازی غیرمستقیم را بر روی فضای پارامتری مدل ها مطالعه می کنیم.
ماده تاریک برداری لپتوفیلیک و افزایش پس زنی الکترونی در XENON۱T Keywords:
ماده تاریک برداری لپتوفیلیک و افزایش پس زنی الکترونی در XENON۱T authors
سید یاسر ایازی
دانشکده فیزیک، صندوق پستی ۱۹۱۱۱- ۳۵۱۳۴، دانشگاه سمنان ، سمنان
احمد محمدنژاد
دانشکده فیزیک، دانشگاه لرستان، خرم آباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :