مدلسازی آشکارساز نوری حلقوی تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 884
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_241
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
در این مقاله، آشکارساز حلقوی تک حامل رونده p-Ge/i-Si/n-Siطراحی و ارائه می شود. الگوی ارائه شده برای ساختارp-Ge/i-Si/n-SiMR-UTC-PDمتشکل از الگوهای ساختار آشکارساز تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si و ساختار موجبر حلقوی تزویج شده با موجبر مستقیم است. پاسخ نوری آشکارساز p-Ge/i-Si/n-Si MR-UTC-PD و مشخصه های عملکردی آن از قبیل پاسخ فرکانسی و بازده کوانتومی با استفاده از مدل رانشی -نفوذی محاسبه می شود. نتایج ارائه شده نشان می دهد که با استفاده از این آشکارساز سیلیکنی جدید، چالش موجود در بهبودهمزمان بازده و عرض باند در گستره وسیعی از عرض باند برطرف می شود، بگونه ای که در فرکانسهای چند صد گیگاهرتز، بازده کوانتومی بیشتر از 0.95 قابل دستیابی است.
Keywords:
Authors
نفیسه السادات قریب
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
غلامرضا عبائیانی
پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده لیزر و اپتیک
علیرضا کاشانی نیا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :